X 电容自动放电芯片, PN8200 替代型号推荐 ME8701.
FEATURES
• 内置 1000V MOSFET
• AC 电压接入后阻止 X 电容放电
• AC 电压断电后通过放电电阻对 X 电容放电
• 功率损耗<5mW@230VAC
• X 电容容值灵活调节,简化 EMI 滤波电路设计
• 自供电,无需外部偏置
• 两端子结构,满足安规标准

• 内部限制最大放电电流


PIN CONFIGUTION
优势替代
PN8200 PN8200.pdf

No.14464

FEATURES

• 内置1000V高雪崩能力的VDMOS

• 无外部GND引脚,抗干扰能力强

• AC电压接入后阻止X电容放电

• AC电压断电后通过放电电阻对X电容放电

• X电容容值灵活调节,优化EMI设计

• 芯片自偏置,无需外部偏置

•  两端子结构,满足安规标准

• 内部限制最大放电电流

• 通过IEC62368-1:2014认证

PIN CONFIGUTION
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