SGM8261-2.pdf• Superior Sound Quality
• Low Offset Voltage: ±350μV (MAX)
• Ultra Low Noise: 1.6nV/Hz at 1kHz
• Ultra Low Distortion: 0.00002% at 1kHz
• High Slew Rate: 16V/μs
• Gain-Bandwidth Product: 16MHz (G = +1)
• High Open-Loop Gain: 140dB
• Unity-Gain Stable
• Low Quiescent Current: 3.8mA/Amplifier
• Rail-to-Rail Output
• Support Single or Dual Power Supplies:
3.6V to 36V or ±1.8V to ±18V
• -40℃ to +85℃ Operating Temperature Range
• Small Packaging:
SGM8261-1 Available in a Green SOIC-8 Package
SGM8261-2 Available in Green SOIC-8, MSOP-8
and TDFN-3×3-8BL Packages
• 符合汽车应用标准
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性：
– 器件温度1 级：-40℃ 至+125℃ 的环境运行温度范围
– 器件HBM ESD 分类等级3A
– 器件CDM ESD 分类等级C4A
• 低失调电压：±250μV（最大值）
• 低失调电压漂移：±0.2μV/°C
• 低噪声：1kHz 时为5.5nV/√Hz
• 高共模抑制：140dB
• 低偏置电流：±5pA
• 轨到轨输入和输出
• 高带宽：10MHz GBW
• 高压摆率：20V/μs
• 低静态电流：每个放大器1mA
• 宽电源电压范围：±2.25V 至±18V，4.5V 至36V
• 已过滤电磁干扰(EMI)/射频干扰(RFI) 的输入
• 电源轨的差分输入电压范围
• 高容性负载驱动能力：1nF
• 行业标准封装：
– 单通道，采用极小的8 引脚VSSOP 封装
– 双通道，采用8 引脚VSSOP 封装
